按EMC(电磁兼容)的原理把信息系统所在建筑物或构筑物按需要保护的空间由外到内分为不同的雷电防护区(LPZ)，以确定各LPZ空间的雷击电磁脉冲的强度及应采取的防护措施。雷电防护区可分为：直击雷非防护区(LPZ 0A)：本区内的各物体都可能遭到直接雷击和导走全部雷电流；本区内的电磁场强度没有衰减。本区内的各类物体完全暴露在外部防雷装置的保护范围之外，都可能遭到直接雷击；本区内的电磁场未得到任何屏蔽衰减，属完全暴露的不设防区。
       LPZ0A---天空、没有避雷针保护的大楼外部、面没有顶棚等覆盖物的地面．．．等等雷电可能会直接击中的的空间。如大楼顶部避雷针保护范围之外的空间。
       直击雷防护区(LPZ 0B)：本区内的各物体不可能遭到大于所选滚球半径对应的雷电流直接雷击，但本区内的电磁场强度没有衰减。本区内的各类物体处在外部防雷装置保护范围之内，应不可能遭到大于所选滚球半径雷电流直接雷击；但本区内的电磁场未得到任何屏蔽衰减，属充分暴露的直击雷防护区。
       LPZOB---没有避雷针保护的非屏蔽大楼内部、有避雷针保护的大楼天台受保护部分、避雷线下的电缆等等雷电不易直接击中的LEMP没有衰减空间。如大楼顶部避雷针保护范围之内的空间和没有屏蔽的大楼内部或有屏蔽大楼内部的窗口附近。
       

       第一屏蔽防护区(LPZl)：本区内的各物体不可能遭到直接雷击，流经各类导体的电流比LPZ OB区进一步减小；且由于建筑物的屏蔽措施，本区内的电磁场强度也  已得到了初步的衰减。
       LPZ1---雷电不易直接击中，但LEMP因屏蔽而衰减的空间。如上述屏蔽大楼内部(不包含窗口附近)。

       第二屏蔽防护区(LPZ 2)：为进一步减小所导引的电流或电磁场而增设的后续防护区。
       LPZ2---在LPZ1区内，再次屏蔽的空间。如上述屏蔽大楼的另外设立的屏蔽网络中心。

        第三屏蔽防护区(LPZ 3)：需要进一步减小雷击电磁脉冲，以保护敏感设备的后续防护区。
       LPZ3---在LPZ2区内，再次屏蔽的空间。如上述屏蔽网络中心内的机器金属外壳内部，或接地的机柜内部。